机译:通过镍掺杂改善Ge_2Sb_2Te_5材料的性能:向兼容RF的相变器件的方向发展
Univ Dayton, Dept Electroopt & Photon, Dayton, OH 45469 USA;
Univ Dayton, Dept Electroopt & Photon, Dayton, OH 45469 USA;
Univ Dayton, Dept Electroopt & Photon, Dayton, OH 45469 USA;
Stanford Univ, Dept Elect Engn, Stanford, CA 94305 USA;
Stanford Univ, Dept Mech Engn, Stanford, CA 94305 USA;
US Air Force, Res Lab, Sensors Directorate, Wright Patterson AFB, OH 45433 USA;
Stanford Univ, Dept Mech Engn, Stanford, CA 94305 USA;
Univ Dayton, Dept Electroopt & Photon, Dayton, OH 45469 USA;
Univ Dayton, Dept Electroopt & Photon, Dayton, OH 45469 USA;
机译:从头算分子动力学模拟过渡金属掺杂的Ge_2Sb_2Te_5相变材料的结构,动力学和电子性质
机译:非易失性相变存储器件中CHF_3 / O_2等离子体中Sn掺杂Ge_2Sb_2Te_5的反应离子刻蚀
机译:氮掺杂Ge_2Sb_2Te_5材料在相变存储中的应用研究
机译:改善CR掺杂阴极材料的电化学性能,用于储能/转换装置
机译:体-异质结有机光伏器件的界面研究:对-氧化镍阳极中间层和盐酸处理的掺锡氧化铟阳极的性能影响和增强机理。
机译:SN-共掺杂石墨烯-镍钴钴硫化气凝胶:改善的能量存储和电催化性能
机译:有机记忆装置:9,10-酰亚胺 - 芘 - 融合吡唑(IPPA)作为N型掺杂材料,用于高性能非易失性有机场效应晶体管内存装置(ADV。电子。Matter。2/2019)
机译:碲化镉材料的空间映射特性及电气响应对提高器件良率和性能的响应