机译:锗注入的Si / SiO_2 / Si结构的电致发光和光致发光
Thomas J. Watson Laboratory of Applied Physics, California Institute of Technology, Pasadena, California 91125;
机译:辐照前记忆对Ge注入SiO_2层光致发光强度的影响
机译:嵌入SiO_2薄膜的尺寸可控硅纳米晶体的光致发光和电致发光。
机译:富锡SiO_2和化学计量SiO_2层组成的超晶格结构的结构和光致发光特性
机译:Ge-incormanted SiO_2层中的光致发光起源
机译:开发用于可见光激光器和发光二极管的宽带隙II-VI材料。 A. ZnMgCdSe结构的双极掺杂和电致发光。 B.六角形ZnSe基结构
机译:基于芴酮单元的D–A–D型橙色发光热激活延迟荧光(TADF)材料:模拟光致发光和电致发光研究
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