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Electromigration lifetime and critical void volume

机译:电迁移寿命和临界空隙体积

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摘要

We study electromigration in copper lines encapsulated in an organosilicate glass. A line fails when a void near the upstream via grows to a critical volume. We calculate the void volume as a function of time. The statistical distribution of the critical volume (DCV) is taken to be independent of testing variables, such as line length and electric current density. By contrast, the distribution of the lifetime (DLT) strongly depends on these testing variables. We deduce the DCV from the experimentally measured DLT. Once deduced, the DCV can predict the DLT under untested conditions.
机译:我们研究了有机硅玻璃封装的铜线中的电迁移。当上游过孔附近的空隙增长到临界体积时,一条线将失败。我们计算空隙体积随时间的变化。临界体积(DCV)的统计分布被认为与测试变量(例如线长和电流密度)无关。相比之下,寿命(DLT)的分布很大程度上取决于这些测试变量。我们从实验测量的DLT推导出DCV。一旦推断出,DCV可以在未经测试的条件下预测DLT。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2004年第20期|p.4639-4641|共3页
  • 作者单位

    Corporate Quality Network, Intel Corporation, 5200 NE Elam Young Parkway, Hillsboro, Oregon 97124;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用物理学;
  • 关键词

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