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机译:1.3μm自组装InAs / GaAs量子点激光器中调制效率和K因子对光子寿命的依赖性:捕获时间和最大模态增益对调制带宽的影响
Nanoelectronics Collaborative Research Center, the University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro, Tokyo 153-8505, Japan;
机译:载流子弛豫寿命和不均匀展宽对InGaAs / GaAs自组装量子点激光器调制响应的影响
机译:模拟1.3μm自组装InAs / GaAs量子点激光器的室温激光光谱:电流注入下光增益的均匀展宽
机译:阈值电流密度,载流子寿命和光增益系数对1.3 / spl mu / m n型调制掺杂应变多量子阱激光器中供体浓度的依赖性
机译:载流子传输对1.3 µm InAs / GaAs自组装量子点激光器调制带宽的影响
机译:1.3μmInAs / GaAs自组装量子点激光器的热效应和小信号调制
机译:1.3μmInAs / GaAs自组装量子点激光器的热效应和小信号调制