机译:空化射流引入硅中的背面损伤吸杂效果的评估
Tohoku Univ, Dept Mech Engn, Aoba Ku, Sendai, Miyagi 9808579, Japan;
DEEP LEVELS; ABRASION; WAFERS; OXYGEN;
机译:空化射流引入的硅晶片吸杂损伤的评估
机译:用空化射流吸气在硅中引入的氧化诱导堆垛层错
机译:空化射流对铜的背面损伤吸收
机译:一种空化射流引入硅晶片损坏损伤的评价
机译:光伏多晶硅中晶界杂质吸收和钝化的层次结构。
机译:使用牺牲多孔硅层的多晶硅磷扩散吸杂工艺
机译:硅中吸取机制的研究:磷扩散吸引与其他吸引点之间的竞争性吸取
机译:aL-sX吸气系统在使用氚气进行低温和高温评估时的有效性