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Structure formation upon reactive direct current magnetron sputtering of transition metal oxide films

机译:反应性直流磁控溅射过渡金属氧化物膜的结构形成

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摘要

A comparative study of reactive direct current magnetron sputtering for different transition metal oxides reveals crystalline films at room temperature for group 4 and amorphous films for groups 5 and 6. This observation cannot be explained by the known growth laws and is attributed to the impact of energetic particles, originating from the oxidized target, on the growing film. This scenario is supported by measured target characteristics, the evolution of deposition stress of the films, and the observed backsputtering.
机译:对不同过渡金属氧化物进行的反应性直流磁控溅射的比较研究表明,第4组为室温结晶膜,第5和第6组为非晶膜。这种观察不能用已知的生长规律来解释,这归因于高能的影响氧化膜上的氧化颗粒产生的颗粒。通过测量的目标特性,薄膜沉积应力的演变以及观察到的背溅射来支持这种情况。

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