机译:AlGaN多量子阱激光器在241.5 nm处的室温深紫外激光发射
Department of Electronic Engineering, Kohgakuin University, Nakano-machi 2665-1, Hachiohji-shi, Tokyo 192-0015, Japan;
机译:深紫外(λ≈240 nm)AlGaN多量子阱激光器的激光发射和自发表面和边缘发射的各向异性偏振特性
机译:演示了蓝宝石衬底上生长的AlGaN多量子阱激光器的横向磁深紫外激发发射
机译:在蓝宝石衬底上生长的基于AlGaN的多量子阱激光器在249 nm和256 nm处的低阈值激发发射
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的<260 nm的室温光泵浦AlGaN-AlN多量子阱激光器
机译:增益饱和重复性软X射线激光器,其波长范围为9-30 nm,并且发射到7.4 nm
机译:纳米粒子掺杂的聚二甲基硅氧烷流体可增强基于AlGaN的深紫外发光二极管的光学性能
机译:在蓝宝石衬底上生长的alGaN多量子阱激光器的横向磁性深紫外激发发射的演示