机译:金属有机化学气相沉积GaInP_(2)胶体InP纳米晶体的过度生长和钝化
National Renewable Energy Laboratory, 1617 Cole Boulevard, Golden, Colorado 80401;
机译:金属有机化学气相沉积法制备的InP / GaAs(100)异质结构的外延横向过生长
机译:金属有机化学气相沉积在InP上生长的GaAs_(0.88)Sb_(0.10)N_(0.02)/ InP量子阱的纳米结构
机译:金属有机化学气相沉积氮极(0001)GaN的外延横向过生长
机译:金属有机化学气相沉积法在m平面6H-SiC上外延生长(1100)m平面GaN
机译:氮化镓的外延横向过长的实验研究和氮化镓金属有机化学气相沉积过程的模拟。
机译:Inn量子点和纳米结构的金属化学化学气相沉积
机译:金属有机化学气相沉积法形成的a面GaN的外延横向过生长