机译:在GaN /蓝宝石衬底上生长的ZnO纳米线的生长习惯和缺陷
National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, Maryland 20899;
机译:Si,GaN和蓝宝石衬底上ZnO纳米线的无催化剂热蒸发生长和光学性质
机译:使用化学剥离和室温直接晶片键合以及GaN晶片规模在ZnO缓冲蓝宝石上进行GaN晶片规模的MOVPE生长,从蓝宝石转移到玻璃基板的MOVPE GaN薄膜的结构和成分表征
机译:富含缺陷的GaN中间层,有助于消除在(0001)取向的蓝宝石衬底上生长的极性GaN晶体中的位错
机译:ZnO纳米线在硅,蓝宝石和GaN衬底上的生长特性
机译:用于未来III-氮化物生长的氢化物气相外延生长GaN衬底的表征
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:富含缺陷的GaN中间层,促进在(0001)的蓝宝石底板上生长的极性GaN晶体中的螺纹脱位湮灭