机译:氮诱导的In_xGa_(1-x)As_(1-y)N_y / GaAs多量子阱中铟镓互扩散的抑制
Paul Drude Institute for Solid State Electronics, Hausvogteiplatz 5 - 7, 10117 Berlin, Germany;
机译:氢化对In_xGa_(1-x)As_(1-y)N_y量子阱和GaAs_(1-y)N_y外延层局部结构的影响
机译:k•p形式主义对In_xGa_(1-x)As_(1-y)N_y / GaAs量子阱的能带结构的影响:8波段和10波段模型的比较
机译:稀氮化物In_xGa_(1-x)As_(1-y)N_y / GaAs量子阱中由<100>位错错位引起的应变弛豫
机译:多层系统中应变松弛的X射线分析in_xga_(1-x)AS_(1-Y)N_Y / GaAs
机译:相互扩散对1.55μm工作波长下Gaas衬底上In0.65Gs0.35as / Gaas多量子阱结构中子带的影响
机译:np-(p(+) - n(+)) - n al(y)Ga(1-y)as-Gaas-In(x)Ga(1-x)as量子阱激光器,p(+) - n n + Gaas上的(+)Gaas-InGaas隧道接触