机译:原子层沉积的Al_2O_3-HfO_2-Al_2O_3电介质用于金属-绝缘子-金属电容器应用
School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People's Republic of China;
机译:原子层沉积SiO_2 / TiO_2 / SiO-2夹层电介质,用于金属-绝缘子-金属电容器
机译:射频层应用中具有原子层沉积的HfO2电介质的金属-绝缘体-金属电容器的电特性
机译:具有原子层沉积HfO2电介质的金属-绝缘体-金属电容器的电气特性,用于射频集成电路
机译:单个SiO_2层掺入对具有AL_2O_3-HFO_2-AL_2O_3电介质金属 - 绝缘金属电容器电性能的影响
机译:用于未来非硅CMOS应用的原子层沉积的高k电介质/ III-V半导体集成
机译:具有高介电常数的柔性超高温聚合物基电介质用于薄膜电容器应用
机译:Si:SrTiO3-Al2O3-Si:SrTiO3多介电结构,用于金属-绝缘体-金属电容器应用
机译:用于航空动力调节电容器应用的高温聚合物薄膜电介质