机译:含硅纳米晶的掺Er二氧化硅薄膜中的光发射和电荷俘获
Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Forschungszentrum Rossendorf e. V., POB 510119, D-01314 Dresden, Germany;
机译:二氧化硅-硅界面陷阱电荷对单片金属-氧化锌-氮化硅-二氧化硅-硅卷积器性能的影响
机译:二氧化硅和硅纳米晶体的可见光发射
机译:在干氧中制备的热二氧化硅薄膜中与水有关的电荷载流子陷阱
机译:高剂量Ge注入和Si注入二氧化硅薄膜的电荷陷阱
机译:金属氧化物半导体器件中硅/二氧化硅界面粗糙度和界面捕获电荷的低温测量。
机译:富硅氧化硅薄膜中Er3 +发光的厚度依赖性优化
机译:硅纳米晶的电荷存储和电子/发光特性
机译:硅上铝注入二氧化硅薄膜的电子俘获。