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Field emission from AlN nanorod array

机译:AlN纳米棒阵列的场发射

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摘要

Single-crystalline mushroom-like AlN nanorod array has been synthesized. The AlN nanorods, with diameters of 50-200 nm and lengths of several micrometers, are distributed uniformly with density of 10~7-10~8 rods/cm~2. The field emission measurements show that the turn-on field is 8.8 V/μm at a field emission current density (J) of 10 μA/cm~2, and the J (10.31 mA/cm~2) fluctuation is as small as 2% within an hour. The relationship between the nanostructure and field emission properties is discussed. The low turn-on field and high current stability demonstrate that the mushroom-like AlN nanorod array is a promising field emission material.
机译:已经合成了单晶蘑菇状AlN纳米棒阵列。直径为50-200 nm,长度为几微米的AlN纳米棒均匀分布,密度为10〜7-10〜8个棒/ cm〜2。场发射测量结果表明,在场发射电流密度(J)为10μA/ cm〜2时,导通场为8.8 V /μm,J(10.31 mA / cm〜2)波动小至2一个小时内达到%。讨论了纳米结构与场发射特性之间的关系。低导通场和高电流稳定性表明,蘑菇状AlN纳米棒阵列是一种很有前途的场发射材料。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2005年第15期|p.153104.1-153104.3|共3页
  • 作者单位

    Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, People's Republic of China;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用物理学;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:22:24

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