类金刚石纳米棒阵列的制备与场发射测试

摘要

在硅衬底上用磁过滤阴极真空弧(FCVAD)沉积系统沉积类金刚石(DLC)膜,以镍颗粒做掩膜,在电感耦合等离子体(ICP)系统中刻蚀DLC膜进而得到DLC纳米棒.经场发射检测,DLC纳米棒阵列的开启电场低至1.990 V·μm-1,阈值电场为4.312 V·μm-1,测量到的最大电流密度达到20.248 mA·cm-2时所需的外加电场为4.563 V·μm-1.XPS和拉曼光谱确定了sp2相区域尺寸的增加,可增强场发射性能.