机译:大角度会聚束电子衍射法对应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管的纳米应变分析
机译:定量电子衍射对比成像技术对应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管的纳米应力分析
机译:大角度会聚束电子衍射研究应变硅沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:衬底应变和电应力对应变Si / Si0.81Ge0.19 n型金属氧化物半导体场效应晶体管中晶格动力学,缺陷和陷阱的影响
机译:使用纳米束电子衍射(NBD)评估SGOI上的薄应变硅和无应变(SSON)结构上的应变
机译:通过会聚束电子衍射表征低于100 nm的硅晶体管中的应变。
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管剂量计在计算机断层摄影辐射剂量测定中的校准和误差分析
机译:HfO2 / TiN栅极金属氧化物半导体场效应晶体管中的电子迁移率分析:HfO2厚度,温度和氧化物电荷的影响
机译:低于100纳米沟道长度的金属氧化物半导体场效应晶体管的电子速度过冲在77和30 K