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Application of the interface capacitance model to thin-film relaxors and ferroelectrics

机译:接口电容模型在薄膜弛豫器和铁电体中的应用

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摘要

The interface capacitance model is briefly revised. It is emphasized that this is a device model related to the boundary condition for polarization and unable to explain the thickness evolution of the ferroelectric properties. The model can be applied to extract the properties of the film from those measured in the capacitor. The interface parameters are found to be temperature independent. The coupling of the film with the interface and the electrode is shown to result in the measured frequency dependent permittivity totally different from that of the film.
机译:简要修改了接口电容模型。需要强调的是,这是一个与极化边界条件有关的器件模型,无法解释铁电特性的厚度演化。该模型可用于从电容器中测得的特性中提取薄膜的特性。发现接口参数与温度无关。示出了膜与界面和电极的耦合导致所测量的取决于频率的介电常数与膜的介电常数完全不同。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2006年第26期|p.262904.1-262904.3|共3页
  • 作者

    M. Tyunina; J. Levoska;

  • 作者单位

    Microelectronics and Materials Physics Laboratories, University of Oulu, PL 4500, FI-90014 Oulun Yliopisto, Finland;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用物理学;计量学;
  • 关键词

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