机译:使用固溶体化合物作为缓冲层调整铜酸盐薄膜中的面内应变
机译:用于无限层Sr1-xLaxCuO2薄膜应变调整的BaySr1-yTiO3缓冲层
机译:通过控制缓冲层中的孪晶和应变量来控制Srtio_3(001)基板上Srruo_3薄膜中的磁性
机译:氧化钇稳定的氧化锆和YBa_2Cu_3O_(7-δ)作为缓冲层的硅衬底上具有两个面内取向的外延La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3薄膜
机译:固溶液Zn(O,S)薄膜:Cu_2ZNSNS_4太阳能电池的电位替代缓冲层
机译:用于主动控制电化学反应的动态面内电势梯度:第一部分。金薄膜上1和2组分烷硫醇单层梯度的表征。第二部分平面内电势梯度的应用。
机译:通过薄中间缓冲层在硅上沉积的优先取向BaTiO3薄膜
机译:使用超薄葡萄氨酸铝酸锶缓冲层在复合氧化物外延膜中调节菌株