机译:基于N,N'-双(七氟丁基)-3,4:9,10-per二酰亚胺的具有高场效应迁移率的空气稳定型n沟道有机薄膜晶体管
机译:出版者的注释:“基于N,N′-双(七氟丁基)-3,4:9,10-per二酰亚胺的具有高场效应迁移率的空气稳定的n沟道有机薄膜晶体管” [Appl。物理来吧91,212107(2007)]
机译:基于萘四羧酸二酰亚胺的高迁移率,空气稳定,低压有机n沟道薄膜晶体管的接触特性
机译:芳基乙炔末端盖上萘二甲基二酰亚胺(NDTI)基于空气稳定,加工的N沟道有机场效应晶体管的基于半导体:末端芳基对电荷运输的影响
机译:基于二氯化萘二酰亚胺的有机n沟道薄膜晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:合成与均苯四甲二酰亚胺类聚合物与C和N主链链接的表征:矩阵的可溶液处理的n沟道场效应晶体管
机译:高迁移率的萘二酰亚胺和硒基-亚乙烯基-硒基的共轭聚合物:n沟道有机场效应晶体管及其结构-性能关系