机译:Ti在n-In_(0.52)Al_(0.48)As上的肖特基势垒特性和界面反应
机译:关于InP衬底上In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As / In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As异质结FET中的肖特基势垒栅二极管的非理想特性
机译:界面反应在P型GaN上形成高屏障高度ITO的肖特基触点使用Ti中间层
机译:n型InP上快速退火的双金属Pd / Ti肖特基结构的电学特性和界面反应
机译:掺杂在基板/缓冲层界面在RashBA系数α中的in_(0.52)Al_(0.48)AS / IN_(0.53)GA_(0.47)AS / IN_(0.52)AL_(0.48)中的效果,为非对称量子阱
机译:镧锶锰(LA0.67SR0.33MNO3)和锆钛酸铅(PBZR0.52TI0.48O3)薄膜异质结构中的自极化感应磁电耦合
机译:PB1-Xlax(Zr0.52Ti0.48)的压电性能1-X / 4O3薄膜通过原位X射线衍射研究
机译:InP / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As界面对In_ {0.52} Al_ {0.48} As / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:具有Er掺杂In(0.52)al(0.48)作为缓冲层的0.1微米栅极In(0.3)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)as / Inp mODFET的背栅特性