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Electric field tunable electron g factor and high asymmetrical Stark effect in InAs_(1_x)N_x quantum dots

机译:InAs_(1_x)N_x量子点中的电场可调电子g因子和高不对称斯塔克效应

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摘要

The electronic structure, electron g factor, and Stark effect of InAs_(1-x)N_x quantum dots are studied by using the ten-band k·p model. It is found that the g factor can be tuned to be zero by the shape and size of quantum dots, nitrogen (N) doping, and the electric field. The N doping has two effects on the g factor: the direct effect increases the g factor and the indirect effect decreases it. The Stark effect in quantum ellipsoids is high asymmetrical and the asymmetry factor may be 319.
机译:利用十波段k·p模型研究了InAs_(1-x)N_x量子点的电子结构,电子g因子和斯塔克效应。发现可以通过量子点的形状和大小,氮(N)掺杂和电场将g因子调整为零。 N掺杂对g因子有两个影响:直接效应会增加g因子,而间接效应会降低g因子。量子椭圆体中的斯塔克效应是高度不对称的,不对称因子可能是319。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2007年第15期|p.153103.1-153103.3|共3页
  • 作者单位

    School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798, Singapore;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用物理学;计量学;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:21:03

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