机译:Si_3N_4 / Al_2O_3界面处掺入氧对非易失性存储应用的保留特性的影响
机译:HfTaO缓冲层对非易失性存储应用中铁电门FET的数据保留特性的影响
机译:非晶铟镓锌氧化锌薄膜上Si_3N_4和Al_2O_3层的电荷俘获特性
机译:Al_2O_3的界面控制层对改善In-Ga-Zn氧化物基铁电存储晶体管的保持性能的影响
机译:氧迁移和界面工程对反应性金属/多晶Pr
机译:用于非易失性存储应用的肖特基单元存储技术。
机译:非易失性存储应用中Al2O3-TiAlO-SiO2栅堆叠的电子结构和电荷俘获特性
机译:非易失性存储器:新的浮栅存储器,具有出色的保持特性(ADV。电子。Matter。4/2019)