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【24h】

Integration of thin layers of single-crystalline InP with flexible substrates

机译:单晶InP薄层与柔性基板的集成

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摘要

Transfer of thin semiconductor layers onto flexible substrates using a combination of ion cutting, adhesive bonding, and laser ablation was investigated. An ~ 1.3 μm thick InP layer was first transferred onto sapphire using adhesive bonding and hydrogen-i
机译:研究了将离子切割,粘合剂结合和激光烧蚀相结合的薄半导体层到柔性基板上的转移。首先使用粘合剂键合和氢-i将厚约1.3μm的InP层转移到蓝宝石上

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