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机译:后氮化工艺对氮化H铁硅酸盐薄膜带隙和带隙的影响
机译:使用气态NH3生长在Ge(001)上的氮化Hf-硅酸盐薄膜的能带排列变化
机译:成分和化学键合对HfxSi1-xO2(N)薄膜的带隙和能带偏移的影响
机译:组成和化学键合对Hf_xSi_(1-x)O_2(N)薄膜的带隙和Si带隙的影响
机译:退火对旋涂聚(3-己基噻吩)(P3HT)薄膜的带隙和热电性能的影响
机译:研究氮化铟和氮化铟铝薄膜中的光学带隙和光学声子。
机译:沉积后退火环境对氮化镓上射频磁控溅射Y2O3薄膜能带取向的影响
机译:沉积后退火环境对氮化镓上射频磁控溅射YO薄膜能带取向的影响