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Time-dependent electroforming in NiO resistive switching devices

机译:NiO电阻式开关设备中随时间变化的电铸

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摘要

Time-dependent electroforming phenomena in NiO capacitors are investigated. Different current-voltage characteristics between dc sweep mode and pulse mode indicate that electroforming is time-dependent process. Statistical time-dependent dielectric breakdown (TDDB) measurements show the exponential dependence of electroforming time on applied voltage, confirming that forming process is not a spontaneous process at some critical voltage, but an upsurge process resulting from stress-induced defects. The statistical TDDB analysis explains not only the nature of electroforming process but also the anomalous forming and large variations in forming parameters.
机译:研究了NiO电容器中随时间变化的电铸现象。直流扫描模式和脉冲模式之间的电流-电压特性不同,表明电铸是与时间有关的过程。统计时间相关的介电击穿(TDDB)测量结果显示电铸时间与施加电压的指数相关性,从而确认成形过程不是在某个临界电压下的自发过程,而是应力引起的缺陷引起的高涌过程。 TDDB统计分析不仅解释了电铸过程的性质,而且还解释了异常成形和成形参数的巨大变化。

著录项

  • 来源
    《Applied Physicsletters》 |2009年第14期|142101.1-142101.3|共3页
  • 作者单位

    Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon 305-600, Republic of Korea Semiconductor Exam, Division, Korean Intellectual Property Office, Daejeon. 302-701. Korea;

    Division of Quantum Phases and Devices, School of Physics, Konkuk University, Seoul 143-701, Republic of Korea;

    Division of Quantum Phases and Devices, School of Physics, Konkuk University, Seoul 143-701, Republic of Korea;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:19:59

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