机译:金纳米晶体浮栅存储结构的介观现象
Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University. Hong Kong, People's Republic of China;
Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University. Hong Kong, People's Republic of China;
Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University. Hong Kong, People's Republic of China;
机译:HfAlO基体中的Au纳米晶体的隧穿机理研究。
机译:通过集成用于非易失性存储器的纳米晶体浮栅和用于无电容器1t-dram的部分耗尽型浮体的统一的随机存取存储器(uram)
机译:基于三角形硅纳米线阵列的非平面NiSi纳米晶浮栅存储器,用于扩展纳米晶存储比例极限
机译:包含纳米晶体浮栅的40nm非易失性存储单元结构的建模
机译:设计用于非易失性闪存设备的纳米晶体浮栅。
机译:用于硅纳米晶浮栅存储器的基于Hf的高k材料
机译:金纳米晶体浮栅存储结构的介观现象