机译:互连的硅纳米晶体形成带隙值受控的薄膜
Lyon Institut of Nanotechnologies (INL), CNRS UMR-5270, University of Lyon, INSA de Lyon, 7 avenue Jean Capelle, Bat. Blaise Pascal, 69621 Villeurbanne Cedex, France;
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机译:识别和消除PbS纳米晶体薄膜中的发射子带隙状态
机译:控制受控后硫化过程,用于较高效率的无毒溶液 - 沉积Cuin0.7ga0.3se2吸收器薄膜,具有分级带隙
机译:非晶碳化硅合金薄膜上的硅纳米晶体:薄膜性能和纳米晶体生长的控制
机译:数值模拟不同厚度,带隙和温度不同值的薄膜CIGS太阳能电池的性能分析
机译:铜锌硫化锡纳米晶体的硫化和硒化形成的薄膜的合成,沉积和微观结构发展。
机译:识别和消除PbS纳米晶体薄膜中的发射子带隙状态
机译:识别和消除pbs纳米晶薄膜中的发射子带隙态