机译:Si上超薄AI_2O_3-TiO_2电介质叠层的非弹性电子隧穿谱研究
Department of Electrical Engineering, Yale University, New Haven, Connecticut 06520, USA;
Department of Electrical Engineering, Yale University, New Haven, Connecticut 06520, USA;
Department of Material Engineering, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel;
Department of Material Engineering, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel;
Department of Photonics and Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan;
Department of Electrical Engineering, Yale University, New Haven, Connecticut 06520, USA;
机译:非弹性电子隧道光谱法测定超薄电介质中陷阱的能量和空间分布
机译:非弹性电子隧道光谱法测定超薄电介质中陷阱的能量和空间分布
机译:HfO2栅堆叠的非弹性电子隧穿光谱:基于第一性原理建模的研究
机译:用于先进CMOS技术的超薄栅极电介质的非弹性电子隧穿光谱(IETS)研究
机译:过渡金属氰化物配合物的非弹性电子隧穿光谱研究。
机译:使用非弹性隧道电子能谱探测单个OPE3分子的局部环境
机译:基于高κ栅极电介质的金属氧化物半导体二极管的非弹性电子隧穿光谱研究
机译:IETs(非弹性电子隧道谱)研究适用于粘附的表面反应