机译:量子点激光器的调制带宽上限
Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia 24061, USA;
Ioffe Physico-Technical Institute, Saint Petersburg 194021, Russia;
机译:1.3μm自组装InAs / GaAs量子点激光器中调制效率和K因子对光子寿命的依赖性:捕获时间和最大模态增益对调制带宽的影响
机译:量子点激光器中激发态对基态调制带宽的影响
机译:量子点激光器中激发态对基态调制带宽的影响
机译:双隧道注入量子点激光器的调制带宽:上限和限制因素
机译:量子点激光器的高速直接调制技术
机译:通过快速热退火改善1.3μmInAs / GaAs量子点激光器中的基态调制特性
机译:回应“评论'隧道注入In0.4Ga0.6as / GaasIn0.4Ga0.6as / Gaas量子点激光器,室温下具有15 GHz调制带宽'”[appl。物理学。快报。 81,2659(2002)]