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Anisotropic conductivity of doped graphene due to short-range nonsymmetric scattering

机译:短程非对称散射引起的掺杂石墨烯的各向异性电导率

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摘要

The conductivity of doped graphene is considered taking into account scattering by short-range nonsymmetrical defects, when the longitudinal and transverse components of conductivity tensor appear to be different. The calculations of the anisotropic conductivity tensor are based on the quasiclassical kinetic equation for the case of monopolar transport at low temperatures. The effective longitudinal conductivity and the transverse voltage, which are controlled by orientation of sample and by gate voltage (i.e., doping level), are presented.
机译:当电导率张量的纵向和横向分量看起来不同时,考虑到掺杂的石墨烯的电导率会考虑到短程非对称缺陷的散射。各向异性电导率张量的计算基于低温下单极输运情况下的准经典动力学方程。给出了有效的纵向电导率和横向电压,其由样品的取向和栅极电压(即掺杂水平)控制。

著录项

  • 来源
    《Applied Physicsletters》 |2010年第21期|P.212103.1-212103.3|共3页
  • 作者

    F. T. Vasko;

  • 作者单位

    Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, Pr. Nauki 41, Kiev 03028, Ukraine;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

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