机译:通过减小图案化蓝宝石的倾斜角度,提高了GaN基发光二极管的晶体质量和性能
Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan;
Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan;
Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan;
Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan Sino-American Silicon Products Inc., Hsinchu 300, Taiwan;
机译:通过减小图案化蓝宝石的倾斜角度,提高了GaN基发光二极管的晶体质量和性能
机译:高性能基于GaN的发光二极管的蓝宝石衬底处理:蓝宝石衬底的微图案化及其对基于GaN的发光二极管中光增强的影响
机译:具有新型图案化的SiO_2 / Al_2O_3钝化层的图案化蓝宝石衬底上的高性能GaN基发光二极管
机译:改进的图案蓝宝石表面改进了GaN的发光二极管的增强性能
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:利用双光子准晶体模式提高GaN基发光二极管的光输出功率