机译:外延横向过生长有效地阻挡m蓝宝石上的半极性(1122)-GaN层中的棱柱堆叠缺陷,从而有效地阻挡了平面缺陷
C1MAP, UMR 6252, CNRS-ENSICAEN-CEA-UCBN, 6 Bd Marechal Juin, 14050 Caen, France;
C1MAP, UMR 6252, CNRS-ENSICAEN-CEA-UCBN, 6 Bd Marechal Juin, 14050 Caen, France;
C1MAP, UMR 6252, CNRS-ENSICAEN-CEA-UCBN, 6 Bd Marechal Juin, 14050 Caen, France;
CRHEA, UPR 10, 1 rue Bernard Gregory, Sophia Antipolis, 06560 Valbonne, France;
CRHEA, UPR 10, 1 rue Bernard Gregory, Sophia Antipolis, 06560 Valbonne, France;
机译:通过两步纳米外延横向过生长在m蓝宝石上生长的半极性{10(1)over-bar(3)over-bar} GaN中的缺陷减少
机译:通过原位外延横向过生长提高m面蓝宝石上的半极性(1122)GaN的光学质量
机译:蓝宝石上外延横向过生长形成的非极性(1120)和半极性(1122)GaN的带边光致发光和反射率
机译:由侧壁外延横向过度生长的非极性GaN层:光学证据减少堆叠故障密度
机译:使用两步横向外延过生长过滤半极性(11-22)GaN中的缺陷
机译:使用两步横向外延过生长过滤半极性(11-22)GaN中的缺陷