机译:层数对确定电流垂直于平面的巨磁阻中自旋不对称性的影响
Nanoscale Theory Group, NRI, AIST, 1-1-1 Umezono, Tsukuba 305-8568, Japan,Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennoudai,Tsukuba 305-8571, Japan;
Nanoscale Theory Group, NRI, AIST, 1-1-1 Umezono, Tsukuba 305-8568, Japan;
Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennoudai,Tsukuba 305-8571, Japan,Magnetic Materials Center, National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen,Tsukuba 305-0047, Japan;
Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennoudai,Tsukuba 305-8571, Japan,Magnetic Materials Center, National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen,Tsukuba 305-0047, Japan;
机译:Fe_(50)Co_(50)层的大磁阻比为10%
机译:使用交替单原子层[Fe / Co] _n和Ag间隔层的全外延电流-垂直-平面巨磁电阻自旋阀的自旋散射非对称系数和增强的比界面电阻
机译:Co2Fe(Ge0.5Ga0.5)Heusler合金外延自旋阀的电流垂直于平面的巨磁电阻的晶体取向依赖性
机译:使用替代原料层状Fe / Co _N和Ag间隔层,旋转散射不对称系数和增强的完全外延垂直与面对平面磁阻旋转阀的特异性界面电阻
机译:使用表面活性剂的巨磁阻自旋阀的原子工程。
机译:通过氢离子处理增强具有电流限制路径纳米氧化物层的电流垂直于平面的巨磁致电阻膜的磁阻
机译:错误:“层数对垂直于平面巨磁阻中的旋转不同质测定的影响”Appl。物理。吧。 98,042503(2011)
机译:超薄磁性多层膜的原子尺度结构及其与电阻,巨磁电阻和自旋相关隧道的相关性