机译:三维微通道铜上的超高电流密度碳纳米管场发射体结构
Nanomaterials and Device Laboratory, Department of Mechanical and Materials Engineering, Florida International University, Miami, Florida 33174, USA;
Schlumberger-Doll Research, 1 Hampshire Street, Cambridge, Massachusetts 02139, USA;
Schlumberger-Doll Research, 1 Hampshire Street, Cambridge, Massachusetts 02139, USA;
Nanomaterials and Device Laboratory, Department of Mechanical and Materials Engineering, Florida International University, Miami, Florida 33174, USA;
机译:三维微通道铜上的超高电流密度碳纳米管场发射体结构
机译:碳纳米管上Ag-Cu合金涂层对场发射体密度的控制对发射电流密度的影响
机译:碳纳米管基大面积场致发射体中宏观电流与特征电流密度的近似幂律关系的实验证实
机译:具有最佳R / H比的碳纳米管柱阵列设计的超低开启场和超高场发射电流密度
机译:碳纳米管支柱阵列场发射极几何结构对增加电流密度的实证研究。
机译:新的三维多孔电极概念:在刺绣铜结构上直接生长的垂直排列的碳纳米管
机译:新型三维多孔电极概念:直接在铜刺绣结构上生长的垂直排列碳纳米管