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机译:Ⅱ型InGaAIAs / GaAsSb / lnP异质结双极晶体管的局部微光反射光谱测量:与电学特性的关系
Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)-UMR5270-CNRS, Universite de Lyon, INSA-Lyon,69621 Villeurbanne, France,KLA-Tencor Corp. 1 Technology Dr., Milpitas, California 95035, USA;
Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)-UMR5270-CNRS, Universite de Lyon, INSA-Lyon,69621 Villeurbanne, France;
机译:II型InGaAlAs / GaAsSb / InP异质结双极晶体管的局部微光反射光谱测量:与电特性的关系
机译:基电荷的积累和推出对I型InP / InGaAs / lnP和I / ll型AllnP / GaAsSb / lnP双异质结双极晶体管非线性的影响
机译:热电子注入对Ⅰ/ⅡAllnP/ GaAsSb / lnP型双异质结双极晶体管的微波性能的影响
机译:INP / Gaassb双异质结双极晶体管光反射光谱与电气特性的相关性
机译:异质结双极晶体管的光响应特性。
机译:从散斑对比测量中恢复扩散相关光谱数据类型:转向低成本深层组织血流测量
机译:使用InP-GaAsSb-InP双异质结双极晶体管测量磷化铟的电子引发的碰撞电离系数
机译:Inp / Gaassb / Inp双异质结双极晶体管。