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机译:表面声波在动态应变GaAs / AIAs量子阱中的空间调制光致发光特性
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi,Kanagawa 243-0198, Japan;
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi,Kanagawa 243-0198, Japan;
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi,Kanagawa 243-0198, Japan;
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi,Kanagawa 243-0198, Japan;
Paul Drude Institute, Hausvogteiplatz 5-7,10117 Berlin, Germany;
机译:表面声波在动态应变GaAs / AlAs量子阱中的空间调制光致发光特性
机译:一维驻表面声波调制的GaAs / AIAs量子阱中的光致发光动力学
机译:表面声波形成的GaAs / AlAs动态量子点中激子光致发光特性的时空调制
机译:通过表面声波动态调制的GaAs量子阱中的维度控制
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:MBE在GaAs上生长的应变GaAsSb / GaAs QW结构的光致发光和能带排列
机译:解决了表面应变的Inas / Gaas量子点的边带发射 声波
机译:InGaas / Gaas应变单量子阱的磁场依赖性光致发光研究