机译:自旋互补场效应晶体管的建议
Department of Materials Science, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
Department of Materials Science, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan,PRESTO, Japan Science and Technology Agency, Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan;
'NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi,Kanagawa 243-0198, Japan;
'NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi,Kanagawa 243-0198, Japan;
'NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi,Kanagawa 243-0198, Japan;
Department of Materials Science, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
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机译:通过近场静电纺丝直接写入互补石墨烯场效应晶体管和结
机译:旋转轨道扭矩场效应晶体管(SOTFET):磁芯存储器的提案
机译:基于Si的旋转金属氧化物 - 半导体场效应晶体管中的旋转传输:旋转漂移效果在反转通道中,N〜+ -SI源/漏区中的旋转弛豫
机译:旋转轨道扭矩场效应晶体管(SOTFET):存储器设备提案,建模和实验
机译:磁性微传感器具有两个磁场效应晶体管使用商业互补金属氧化物半导体工艺制造
机译:关于理事会关于社区在保加利亚参与卫生和社会政策领域社区计划中的立场的决定的提案;关于理事会关于社区在爱沙尼亚参与健康促进,信息,教育和培训领域的社区计划中的地位的决定的提案;关于协会理事会中关于匈牙利参与卫生和社会政策领域共同体计划的社区立场的理事会决定的提案;关于立陶宛社区在卫生和社会政策领域的社区计划中的参与,关于社区在协会理事会中的立场的决定的提案;关于理事会关于社区在罗马尼亚参与卫生和社会政策领域的社区计划中的共同体立场的决定的提案(由委员会提出)。 COm(98)263 final,1998年5月6日
机译:金属氧化物半导体/ mOs /晶体管研发计划。第二部分 - 稳定互补mOs场效应晶体管的开发最终报告,3月 - 1965年11月