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Conduction band structure in wurtzite GaAs nanowires: A resonant Raman scattering study

机译:纤锌矿GaAs纳米线的导带结构:共振拉曼散射研究

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摘要

We report on a room temperature Raman resonance at 1.56eV in GaAs wurtzite nanowires together with the emergence of a strong forbidden longitudinal optical phonon line. We attribute this resonance, absent in zinc blende wires with similar diameters, to an additional excitonic transition due to conduction band folding in agreement with recent theoretical predictions.
机译:我们报道了在室温下1.56eV的GaAs纤锌矿纳米线中的拉曼共振,以及强禁光子声子线的出现。我们将这种谐振(直径相似的锌混合电线中不存在)归因于传导带折叠引起的额外激子跃迁,这与最近的理论预测相符。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2012年第7期|p.073102.1-073102.3|共3页
  • 作者单位

    Institut des Nanosciences de Paris, CNRS UMR7588, UPMC, 75005 Paris, France;

    Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, CNRS UPR20, 91460 Marcoussis, France;

    Institut des Nanosciences de Paris, CNRS UMR7588, UPMC, 75005 Paris, France;

    Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, CNRS UPR20, 91460 Marcoussis, France;

    Institut des Nanosciences de Paris, CNRS UMR7588, UPMC, 75005 Paris, France;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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