机译:在室温下使用氢离子辐照方便地制造高性能InGaZnO薄膜晶体管
School of Electrical and Electronic Engineering, 50, Yonsei University, Seoul 120-749, South Korea;
Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, South Korea;
Division of Physics and Semiconductor Science, Dongguk University, Seoul 100-715, South Korea;
机译:在室温下使用氢离子辐照方便地制造高性能InGaZnO薄膜晶体管
机译:氢辐照与退火相结合的低温处理InGaZnO薄膜晶体管
机译:高性能透明且柔性的无机薄膜晶体管:石墨烯纳米片和非晶态InGaZnO的便捷集成
机译:溶液处理的InGaZnO薄膜晶体管的低温制备
机译:InGaZnO薄膜晶体管的后处理,以改善偏置照明应力的可靠性。
机译:通过使用富氢Al2O3介电层实现具有极低热收支的高性能a-InGaZnO薄膜晶体管
机译:低温,高性能Ingazno薄膜晶体管,由电容耦合等离子体辅助磁控溅射制造