机译:p沟道Si双量子点的制备与表征
Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama,Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan;
Department of Physical Electronics, Quantum Nanoelectronics Research Center,Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan,PRESTO, Japan Science and Technology Agency (JST), 4-1-8 Honcho Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan;
Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama,Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan;
Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama,Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan;
机译:P沟道硅单和双量子点孔旋转G型因子估算旋转操纵
机译:SiGe双量子点结构的制备与表征
机译:通过连续离子层吸附和反应制备的具有量子点的CdS和CdSe量子点敏化太阳能电池的制备,表征和优化
机译:在高掺杂硅衬底上物理定义的双量子点的制备和表征而无意外的局域化状态
机译:第一部分:铂纳米粒子的原位脉冲电化学沉积,用于燃料电池中催化剂的有效利用。第二部分:使用逐层自组装法制备和表征聚电解质-量子点混合结构。
机译:基于双面光微腔内耦合量子点中静态自旋量子位的可扩展量子计算
机译:利用SiO2图案的邻域(001)GaAs衬底制备单行或双行对准的自组装量子点