机译:使用界面失配阵列生长的具有GaSb吸收区复合结构的GaAs和AIGaAs雪崩光电二极管中的噪声过大
Physics Department, Lancaster University, Lancaster LA1 4YB, United Kingdom;
Department of Electrical Engineering, UCLA, Los Angeles, California 90095, USA;
Physics Department, Lancaster University, Lancaster LA1 4YB, United Kingdom;
Department of Electrical Engineering, UCLA, Los Angeles, California 90095, USA,California NanoSvstems Institute, UCLA, Los Aneeles, California 90095, USA;
机译:具有GaSb吸收区的GaAs和AlGaAs雪崩光电二极管中的噪声过大-使用界面失配阵列生长的复合结构
机译:GaSb / GaAs异质结上生长的GaSb / AIGaSb量子阱的光谱和瞬态发光测量,带有和不带有界面不匹配阵列
机译:重印“带有AlGaAsSb阻挡层的基于InAsSb的中红外nbn光电探测器-生长在GaAs上,使用界面失配阵列以及在天然GaSb上”
机译:通过使用界面失配阵列和AlSb阻挡层改善在GaAs衬底上生长的变质GaSb电池中的开路电压
机译:具有周期性90°错配位错界面阵列的GaAs衬底上生长的高弛豫GaSb的结构分析
机译:具有GaSb吸收区的GaAs和AlGaAs雪崩光电二极管中的噪声过大-使用界面失配阵列生长的复合结构