机译:吸收器和增益芯片的优化,可通过被动模架式电泵浦垂直外腔表面发射激光器提高性能
Department of Physics, Institute for Quantum Electronics, ETH Zuerich, 8093 Zuerich, Switzerland;
Philips Technologie GmbH Photonics Aachen, Steinbachstrasse 15, 52074 Aachen, Germany;
Philips Technologie GmbH Photonics Aachen, Steinbachstrasse 15, 52074 Aachen, Germany;
Department of Physics, Institute for Quantum Electronics, ETH Zuerich, 8093 Zuerich, Switzerland;
Philips Technologie GmbH U-L-M Photonics, Lise-Meitner-Strasse 13, 89081 Ulm, Germany;
Philips Technologie GmbH Photonics Aachen, Steinbachstrasse 15, 52074 Aachen, Germany;
Department of Physics, Institute for Quantum Electronics, ETH Zuerich, 8093 Zuerich, Switzerland;
Department of Physics, Institute for Quantum Electronics, ETH Zuerich, 8093 Zuerich, Switzerland;
Department of Physics, Institute for Quantum Electronics, ETH Zuerich, 8093 Zuerich, Switzerland;
Department of Physics, Institute for Quantum Electronics, ETH Zuerich, 8093 Zuerich, Switzerland;
机译:适用于被动Modelocking的电泵浦垂直外腔表面发射激光器
机译:被动Modelocked 832 Nm垂直外腔表面发射半导体激光器,以1.9 Ghz的重复频率产生15.3 Ps脉冲
机译:无源对接的832 nm垂直外腔表面发射半导体激光器,以1.9 GHz重复频率产生15.3 ps脉冲
机译:首次型号型垂直外腔表面发射激光器使用量子点层进行增益和SESAM
机译:外延战略的发展,以发展用于无源锁模光泵浦垂直外腔表面发射激光器(VECSEL)的新型半导体可饱和吸收镜(SESAM)
机译:不同腔配置中锁模垂直外腔面发射激光器的时滞-微分方程建模
机译:电泵浦垂直外腔表面发射激光器(EP-VECSEL)的开发。
机译:多芯垂直外腔表面发射激光器:相干功率缩放方案(后印刷);杂志文章