机译:通过扫描探针光刻对20纳米以下的薄层WSe_2进行构图
Instituto de Ciencia de Materiales, CSIC, Sor Juana Ines de la Cruz 3,28049 Madrid, Spain;
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机译:扫描探针光刻产生的副20 nm石墨烯图案的化学和结构分析
机译:确定用于0.33 NA极端紫外光刻的20 nm以下抗蚀剂图案的临界尺寸扫描电子显微镜测量条件的方法
机译:通过氧化扫描探针光刻氧化扫描探头μMOS_2和MOSE_2纳米刻痕装置的亚10 NM图案化
机译:具有扫描探头单层扫描探针光刻的金纳米粒子的灰度图案化
机译:图案化有机硅烷自组装单分子层,嵌段共聚物光刻和薄膜性能,以及光诱导形成聚合物刷和单分子层。
机译:通过扫描探针光刻法在有机介质中对硅表面进行氧化和碳质构图
机译:通过扫描探针光刻对20纳米以下的薄层WSe2进行构图
机译:扫描探针光刻。扫描隧道显微镜Tipparameters对自组装单层光刻图案的影响