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Comparative efficiency analysis of GaN-based light-emitting diodes and laser diodes

机译:GaN基发光二极管和激光二极管的效率比较分析

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摘要

Nobel laureate Shuji Nakamura predicted in 2014 that GaN-based laser diodes are the future of solid state lighting. However, blue GaN-lasers still exhibit less than 40% wall-plug efficiency, while some GaN-based blue light-emitting diodes exceed 80%. This paper investigates non-thermal reasons behind this difference. The inherently poor hole conductivity of the Mg-doped waveguide cladding layer of laser diodes is identified as main reason for their low electrical-to-optical energy conversion efficiency.
机译:诺贝尔奖获得者中村修二在2014年预测,基于GaN的激光二极管将是固态照明的未来。但是,蓝色GaN激光器的墙塞效率仍然不到40%,而某些基于GaN的蓝色发光二极管超过80%。本文研究了造成这种差异的非热因素。激光二极管的掺Mg的波导包层固有的较差的空穴传导性被认为是其低的电光能量转换效率的主要原因。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2016年第2期|021104.1-021104.4|共4页
  • 作者

    Joachim Piprek;

  • 作者单位

    NUSOD Institute LLC, Newark, Delaware 19714-7204, USA;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:14:44

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