机译:光电子衍射法测定SiO_2 / SiCi(0001)界面处N的局部结构
Fuji Electric Co., Ltd., 1, Fuji-machi, Hino-City, Tokyo 191-8502 Japan,Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology, 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, Japan;
Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology, 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, Japan;
Fuji Electric Co., Ltd., 1, Fuji-machi, Hino-City, Tokyo 191-8502 Japan;
Japan Synchrotron Radiation Research Institute, 1-1 -1 Kouto, Sayo, Hyogo 679-5198, Japan;
Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology, 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, Japan;
机译:SiO_2 / Si(100)界面的光电子衍射结构分析
机译:SiO_2 / Si(100)界面的光电子衍射结构分析
机译:使用同步辐射光电子衍射结构测定SiC(0001)上的双层石墨烯
机译:通过H_2和AR混合物气体处理在SiO_2沉积之前改进SiO_2 / 4H-SiC(0001)界面性质
机译:X射线光电子衍射和低能电子衍射纳米级过渡金属氧化物膜的表面结构测定
机译:同步辐射光电子衍射法测定SiC(0001)上双层石墨烯的结构
机译:V 2 sub> O 3 sub>(0001)表面OH族的局部结构:扫描能量模式光电子衍射研究
机译:在自旋极化光电子衍射中使用磁性X射线圆二色性的结构测定