机译:以纳米沟道长度和石墨烯为电极的N型有机场效应晶体管中的线性传导
Univ Naples Federico II, Dept Phys, Piazzale Tecchio 80, I-80125 Naples, Italy;
CNR, Ist Nanosci, Ctr S3, Via G Campi 213-A, I-41125 Modena, Italy;
CNR, Ist Nanosci, Ctr S3, Via G Campi 213-A, I-41125 Modena, Italy;
Ist Italiano Tecnol, Ctr Nanotechnol Innovat NEST, Piazza San Silvestro 12, I-56127 Pisa, Italy;
Ist Italiano Tecnol, Ctr Nanotechnol Innovat NEST, Piazza San Silvestro 12, I-56127 Pisa, Italy;
Univ Naples Federico II, Dept Phys, Piazzale Tecchio 80, I-80125 Naples, Italy;
机译:定量分析第一层在具有石墨烯电极的p型和n型有机场效应晶体管中的作用
机译:用于n型有机场效应晶体管的石墨烯电极
机译:新型场效应晶体管中的垂直传导:p型和n型垂直沟道薄膜晶体管
机译:新场效应晶体管中的垂直传导:p型和n型垂直通道薄膜晶体管
机译:P型和N型低聚噻吩基半导体作为有机场效应晶体管中的有源层。
机译:介电材料HMDS层和通道的影响基于ylene二酰亚胺的有机场效应晶体管的性能长度
机译:n型有机场效应晶体管中的线性传导,具有纳米通道长度和石墨烯作为电极
机译:石墨烯/鸟嘌呤界面粘接动力学近边缘X射线吸收光谱研究 - 高迁移率,有机石墨烯场效应晶体管的建议。