机译:等离子体诱导的缺陷在石墨烯Mf噪声产生中的作用
INRIM Ist Nazl Ric Metrol, Str Cacce 91, I-10135 Turin, Italy;
INRIM Ist Nazl Ric Metrol, Str Cacce 91, I-10135 Turin, Italy;
INRIM Ist Nazl Ric Metrol, Str Cacce 91, I-10135 Turin, Italy;
INRIM Ist Nazl Ric Metrol, Str Cacce 91, I-10135 Turin, Italy;
INRIM Ist Nazl Ric Metrol, Str Cacce 91, I-10135 Turin, Italy;
机译:暴露于等离子体下的电子设备中的缺陷产生:等离子体引起的损害
机译:Si衬底中等离子体诱导的缺陷位点生成及其对缩放MOSFET的性能下降的影响
机译:暴露薄Si表面层中等离子体诱导缺陷产生过程的定量表征
机译:HDP-CVD处理中硅表面上的等离子体诱导的缺陷产生
机译:表征缺陷对碳纳米管和石墨烯的气体传感器感测性能的作用
机译:由O2原位生成OH-和H2O2在血浆诱导的细胞死亡中起关键作用
机译:等离子体诱导眼镜的光学活性缺陷产生
机译:幅相间转换在振荡器闪烁相位噪声产生中的作用