机译:Ti / Al欧姆接触与n型GaN的同步辐射X射线光电子能谱:Al覆盖层在界面清除反应中的关键作用
Osaka Univ, Grad Sch Engn, 2-2 Yamadaoka, Suita, Osaka 5650871, Japan;
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Panasonic Corp, Kyoto 6178520, Japan;
Panasonic Corp, Kyoto 6178520, Japan;
Panasonic Corp, Kyoto 6178520, Japan;
Japan Atom Energy Agcy, Sayo, Hyogo 6795148, Japan;
Osaka Univ, Grad Sch Engn, 2-2 Yamadaoka, Suita, Osaka 5650871, Japan;
Osaka Univ, Grad Sch Engn, 2-2 Yamadaoka, Suita, Osaka 5650871, Japan;
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机译:GaN衬底上的AlGaN / GaN外延层上的基于Ti / Al的欧姆接触的界面反应的表征
机译:使用同步辐射的X射线光电子能谱进行表面反应分析以及原位直接氮化工艺产生的AlN层的微观结构分析
机译:X射线光电子能谱使用同步辐射和原位直接氮化过程产生的ALN层的微观结构分析的表面反应分析
机译:用差示扫描量热法(DSC)表征和动力学监测n型GaN上基于Ti-Al的欧姆接触中TixAly相之间的反应
机译:研究钯/镓锑化物与N型镓锑化物的欧姆接触。
机译:角分辨X射线光电子能谱研究Al2O3封端的GaN / AlGaN / GaN异质结构的表面极化
机译:X射线光电子能谱使用原位直接氮化过程产生的X射线光电子能谱和半结构分析的X射线光电子能谱。