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机译:通过在p-AlGaN接触层上使用高反射光子晶体实现高外部量子效率(10%)的基于AlGaN的深紫外发光二极管
RIKEN, Wako, Saitama 3510198, Japan;
RIKEN, Wako, Saitama 3510198, Japan;
RIKEN, Wako, Saitama 3510198, Japan;
RIKEN, Wako, Saitama 3510198, Japan;
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd, Kawasaki, Kanagawa 2110012, Japan;
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd, Kawasaki, Kanagawa 2110012, Japan;
Toshiba Machine Co Ltd, Shizuoka 4108510, Japan;
Toshiba Machine Co Ltd, Shizuoka 4108510, Japan;
ULVAC Inc, Chigasaki, Kanagawa 2538543, Japan;
ULVAC Inc, Chigasaki, Kanagawa 2538543, Japan;
AIST, Tsukuba, Ibaraki 3058564, Japan;
RIKEN, Wako, Saitama 3510198, Japan;
机译:反射光子晶体p接触层的反射率,用于提高基于AlGaN基深紫外发光二极管的光提取效率
机译:具有高透明p-AlGaN层的280 nm AlGaN基发光二极管的光提取效率研究
机译:基于Algan的深紫外发光二极管的效率改进,具有渐变超晶格最后量子屏障和没有电子阻挡层
机译:通过菌株改善基于Algan基深紫外发光二极管的进射效率
机译:增强氮化物发光二极管和激光二极管的内部量子效率和光学增益。
机译:在基于AlGaN的深紫外发光二极管的p-AlGaN / n-AlGaN / p-AlGaN电流扩散层上
机译:反射光子晶体p接触层的反射率,用于提高基于AlGaN基深紫外发光二极管的光提取效率
机译:N掺杂Gaas(1-x)p(x)发光二极管外量子效率的压力研究。