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机译:面内X射线衍射法表征4H-SiC(0001)表面热氧化引起的局部晶格畸变
Univ Tokyo, Dept Mat Engn, Bunkyo Ku, Tokyo 1138656, Japan;
Univ Tokyo, Dept Mat Engn, Bunkyo Ku, Tokyo 1138656, Japan;
机译:热氧化4H-SiC表面的晶格畸变引入和晶格弛豫动力学(0001)
机译:晶格畸变的动力学引入和晶格松弛在热氧化4H-SiC(0001)的表面上
机译:X射线衍射和显微拉曼光谱探测多铁性TbMnO_3外延薄膜的晶格畸变和应变松弛
机译:4H-SiC(0001),(0001)和4H-SiC:H表面上物理吸附和化学吸附的单石墨烯层的密度泛函模拟
机译:利用原子对分布函数和高能分辨率非弹性X射线散射研究低维材料的局部结构和晶格动力学
机译:表面改性和磨料抛光之间的竞争:控制4H-SiC表面原子结构的方法(0001)
机译:N2O生长的氧化物/ 4H-SiC(0001),(0338)和(1120)的界面特性,其特征在于使用p型栅极控制二极管
机译:从X射线衍射数据中对离子注入晶体中的二维晶格畸变进行高分辨率映射