机译:N2O生长的氧化物/ 4H-SiC(0001),(0338)和(1120)的界面特性,其特征在于使用p型栅极控制二极管
机译:使用P型栅极控制二极管表征的N_2o生长氧化物/ 4h-sic(0001),(0338)和(1120)界面特性
机译:以低温亚阈值斜率为特征的SiO_2 / p型4H-SiC(0001),(1120),(1100)金属氧化物半导体结构的界面态密度
机译:N_2O氧化形成的4H-SiC {0001}和(1120)上的金属氧化物半导体结构的界面特性
机译:(0001)和(1120)面上的SiO_2 / 4H-SiC界面陷阱的比较
机译:镍/金和钯/金欧姆接触与清洁的p型氮化镓(0001)表面之间形成的界面的电,化学和结构表征。
机译:石墨层对MgO / 6H-SiC(0001)界面电子性质的影响
机译:在4H-SiC(0001),(1120)和6H-SiC(0001)上的RESURF MOSFET的设计和制造